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【冲刺】2027年中国航天科工集团第二研究院080900电子科学与技术《802通信类专业综合:电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案

高分学长 | 日期:2026年09月01日 | 26年考研

【冲刺】2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合: 电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案

考研专业课模拟试题 模拟试题简介 试题名称: 【冲刺】2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合:电子线路 基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案 试题题型: 填空题+判断题+解答题 参考书目: 张晓林张凤言编著,电子线路基础,高等教育出版社(2011 年); 适用院系: (008)8511 所 (203)203 所 (023)23 所 (207)207 所 (025)25 所 (009)航天长峰 (706)706 所

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考研专业课模拟试题 目录 2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合:电子线路基础》考 研冲刺模拟五套题及参考答案(一) .............................................................................................................4 2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合:电子线路基础》考 研冲刺模拟五套题及参考答案(二) .............................................................................................................8 2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合:电子线路基础》考 研冲刺模拟五套题及参考答案(三) ...........................................................................................................11 2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合:电子线路基础》考 研冲刺模拟五套题及参考答案(四) ...........................................................................................................14 2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合:电子线路基础》考 研冲刺模拟五套题及参考答案(五) ...........................................................................................................19

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考研专业课模拟试题 2027 年考研专业课模拟试题-冲刺阶段使用 2027 年中国航天科工集团第二研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合:电子线路基础》考 研冲刺模拟五套题及参考答案(一) 一、填空题 1. 晶体管振荡器是一种无需外界信号激励便能产生振荡信号输出的__放大器。 【答案】正反馈自激; 2. LC 振荡器的静态工作点,一般选在__区,远离__区,其原因是__ 【答案】放大区,截止区,为了满足起 振条件和振幅平衡; 二、判断题 3. 单管功率放大器的静态电流较推挽功率放大器大得多,可见甲类单管功率放大器电路效率比乙类推挽 功率放大器高。__ 【答案】×青岛掌ю心博阅电子书 4. 对于正弦波振荡电路而言,只要不满足相位平衡条件,即使放大电路的放大倍数很大,也不可能产生 正弦波振荡。__ 【答案】√ 5. 电容三点式振荡电路输出的谐波成分比电感三点式的大,因此波形较差。__ 【答案】× 三、解答题 6. 恒流源式差动放大电路如图所示 三极管: (1)各三极管的静态工作点 Q1~Q3; (2)差模电压放大倍数 ; (2)当 时,

, ,试计算:

此时

各为多少伏?

【答案】 (1)

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考研专业课模拟试题 (2) (3)

7. 半导体与 PN 结 【答案】半导体中有两种载流子 : 电子与空穴。在本征半导体中掺入五价元素,就构成了 N 型半导体。 反之在本征半导体中掺入三价元素,就构成了 P 型半导体。多子浓度主要由掺杂浓度决定,少子浓度随温 度增加而明显增大。 在 P 型或 N 型半导体中,电子和空穴的浓度满足热平衡条件,同时整块半导体满足电中性条件。 把 P 型半导体和 N 型半导体在原子级上紧密结合,P 区和 N 区的交界面就形成了 PN 结。在交界面岀现 的带电离子集中的薄层,称为空间电荷区(或耗尽层、阻挡层)。在 PN 结中存在两种运动:一是由于浓度 差引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动,称为扩散运动;二是载流子在电场的作用下的运动, 称为漂移运动。 动态平衡下的 PN 结,当温度一定时,两侧半导体的掺杂浓度越大,空间电荷区宽度就越窄,接触电 位差越大;当掺杂浓度一定时,空间电荷区宽度随温度升高而变窄,接触电位差变小。 PN 结外加电压时,两端电压 U 和流彗 PN 结电流/的关系为

式中,

称为 PN 结的反向饱和电流 ;

称为温度的电压当量,在常温下(T=300K),UT=26mV。PN

结的电压电流关系是非线性的,当外加正向电压(U>0)时,I 随 U 按指数规律增加;当外加反向电压(U<0) 时 ,数值很小,基本上与外加电压 U 无关。这是 PN 结的最重要的特性——单向导电性。 当 PN 结的外加反向电压增大到一定值时,反向电流急剧增大,这种现象称为 PN 结的反向击穿。击穿 现象可分为齐纳击穿和雪崩击穿两种,分别发生在高掺杂和低掺杂的 PN 结中。 PN 结除呈现非线性电阻特性外,还具有电容特性。 8 . 镜 像 电 流 源 式 差 动 放 大 电 路 如 图 所 示 。 已 知 Vcc=VEE=15V , , 三 极 管 T3~T4 特 性 相 同 , T3 管的 (1)静态工作点 (2)差模输入电阻 、输出电阻 (3)差模电压放大倍数 ; (4)共模电压放大倍数 (5)当 时 ; 。试计算:

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考研专业课模拟试题

【答案】 (1)

(2)

(3) (4) (5) 9 .

图 中 , , 和输出电阻 【答案】 (1) (2) (3)

, , 。

, , ,各电容都足够大。求电路的静态值

, 场 效 应 管 的 、 、 ,并求

10.电路如图所示,已知稳压管 DZ 的稳压值

,变压器次级电压有

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考研专业课模拟试题 (4)用桥式整流电路可减小二极管承受的反向峰值电压,使 9. 试分析在下列几种情况下,应该选用哪一种滤波电路比您合适。 (1)负载电阻为 (2)负载电阻为 (3)负载电阻从 (4)负载电阻为 ,电流为 10A,要求 S=10%; ,电流为 10MA,要求 S=0.1%;青岛掌ъ心博阅电子书 变到 LOON,要求 S=1%,且输出电压 变化不超过 20%;

可调。若电流从零变到 1A,要求 S=1%,且希望电源变压器次级绕组输出电压

尽可能低。 【答案】 (1)电感滤波电路 (2)电容滤波电路 (3)LC 滤波电路 (4) 型滤波电路 。T3 管的

10.下图为恒流源差动放大电路。已知 T1、T2 特性相同, 压管 Dz 的稳压值 Uz=7.5V,其他元件参数如图所示。试求: (1)各三极管的静态工作点; (2)分别计算单端输出、双端输出时,放大电路的 、 (3)单端输出时共模抑制比 。 【答案】 (1)

,稳

(2)单端输出时: 双端输出时: (3)单端输出时: 青岛掌щ心┯博阅电子书

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