【冲刺】2027年中国航天科工集团第三研究院081001通信与信息系统《811集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案

高分学长 | 日期:2026年09月01日 | 26年考研

【冲刺】2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案

考研专业课模拟试题模拟试题简介试题名称：【冲刺】2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案试题题型：填空题+判断题+简答题参考书目：施敏等著，半导体器件物理，西安交通大学出版社(2008 年)。适用院系：

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考研专业课模拟试题目录 2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（一） ...........................................................................................................................................4 2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（二） ...........................................................................................................................................6 2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（三） ...........................................................................................................................................9 2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（四） .........................................................................................................................................11 2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（五） .........................................................................................................................................12

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考研专业课模拟试题 2027 年考研专业课模拟试题-冲刺阶段使用 2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（一）一、填空题 1．本征半导体中价电子挣脱共价键的束缚成为__，留下一个空位称为__，它们分别带负电和正电，称为载流子。【答案】自由电子；空穴（豆丁华║研ф电子р书） 2．小尺寸 MOSFET 的 LDD（轻掺杂漏区）结构，其主要特点是可防止__。（短沟道效应；热电子效应；源-漏穿通效应）【答案】热电子效应 3．在电子技术中三极管的主要作用是：__和开关作用。【答案】具有电流放大作用（豆丁华研д电子书） 4． MOSFET 的亚阈状态是__沟道的一种工作模式（出现；不出现）；亚阈电流与栅极电压之间 __关系（有指数；有线性；没有）。【答案】不出现；有指数青岛掌а心博阅电子书 5．对于 Si 的 p-n 结，其反向电流主要是__。（在扩散区的少数载流子扩散电流；势垒区中复合中心的产生电流；势垒区中的漂移电流）温度升高时，Si p-n 结的反向电流将__。（线性增加；指数增加；快速下降；不变）【答案】势垒区中复合中心的产生电流；指数增加二、判断题 6． p-n 结两边准费米能级之差就等于 p-n 结上所加电压的大小。__ 【答案】√（豆丁华研ъ电子书） 7． p-n 结所包含的主要区域是势垒区及其两边的少数载流子扩散区。__ 【答案】√青岛掌а心博阅电子书（豆丁华研щ电子┯书） 8．集电极最大允许工作电流 ICM 是对应于晶体管的最高结温时的集电极电流。__ 【答案】× 9． MOSFET 的击穿机理有漏结雪崩击穿、S-D 穿通和沟道雪崩击穿三种；而短沟道 MOSFET 的击穿主要是沟道雪崩击穿和 S-D 穿通。__ 【答案】√ 三、简答题 10．试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时，三极管中的两个 PN 结所具有的特点。【答案】三极管工作在放大工作状态时，集电结反偏，发射结下偏。三极管工作在饱和工作状态时，发射线和集电结均正偏。三极管工作在截止工作状态时，发射线和集电结均反偏。青岛掌ы心博➷⋛阅电子书

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考研专业课模拟试题 11．图中通过稳压管电流等于多数？R 值是否合适？

【答案】

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考研专业课模拟试题 2027 年中国航天科工集团第三研究院《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（二）一、填空题 1． MOSFET 表面沟道中载流子的迁移率要__埋沟中载流子的迁移率（高于；低于；等于），并且在室温下迁移率随着温度的升高将__（下降；增大；不变）。【答案】低于；下降 2．半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结__，集电结__。【答案】正向偏置；反向偏置（豆丁华研ж电┰子书） 3．对于场效应晶体管，其饱和区的跨导要__线性区的跨导（大于；小于；等于），并且饱和区的跨导等于__（饱和区的漏电导；线性区的漏电导；衬底的跨导）。【答案】大于；线性区的漏电导 4． BJT 的开关时间一般主要决定于__。（发射结的充放电时间；基区和集电区中过量存储电荷消失的时间；集电结的充放电时间）【答案】基区和集电区中过量存储电荷消失的时间 5．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的__电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。【答案】反向青岛掌а心博阅电子书（豆丁华║研ф电子р书）二、判断题 6．对于场效应晶体管，缓变沟道近似就是把栅极电压产生的电场的作用和源-漏电压产生的电场的作用分开来考虑，这种近似只适用于长沟道晶体管，对短沟道晶体管并不适用。__ 【答案】√ 7．晶体三极管的 β 值，在任何电路中都是越大越好。__ 【答案】×；（豆丁华研к电子书） 8．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。__ 【答案】×。（豆丁华研ш电子书） 9．增强型 MOSFET 是在不加栅极电压时存在有沟道、能够导电的一种场效应晶体管；耗尽型 MOSFET 是在不加栅极电压时无沟道、不导电的一种场效应晶体管。__ 【答案】× 三、简答题