【冲刺】2027年中国航天科工集团公司第三研究院(8357所)081001通信与信息系统《811集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案

高分学长 | 日期:2026年09月01日 | 26年考研

【冲刺】2027 年中国航天科工集团公司第三研究院 (8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案

考研专业课模拟试题模拟试题简介试题名称：【冲刺】2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案试题题型：填空题+判断题+简答题参考书目：施敏等著，半导体器件物理，西安交通大学出版社（2008 年）。适用院系：（000）不区分院系所

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考研专业课模拟试题目录 2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（一） ...............................................................................4 2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（二） ...............................................................................6 2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（三） ...............................................................................8 2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（四） .............................................................................11 2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（五） .............................................................................13

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考研专业课模拟试题 2027 年考研专业课模拟试题-冲刺阶段使用 2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（一）一、填空题 1．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。【答案】导通（豆丁华研ю电子书） 2．浮置栅雪崩注入 MOS（FAMOS）器件和叠栅雪崩注入 MOS（SAMOS）器件都是利用__来工作的一种存贮器件。（雪崩击穿效应；沟道雪崩注入效应；载流子速度饱和效应）【答案】沟道雪崩注入效应 3．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的__电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。【答案】反向青岛掌а心博阅电子书（豆丁华║研ф电子р书） 4 ．在半导体二极管中，与 P 区相连的电极称为正极或 __ ，与 N 区相连的电极称为负极或 __。【答案】阳极；阴极（豆丁华研л电子书） 5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结____偏置。【答案】反向（豆丁华研я电子书）二、判断题 6．在 N 型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为 P 型半导体。__ 【答案】√；（豆丁华研й电子书） 7．金属与半导体接触一般都形成具有整流特性的 Schottky 势垒，但如果金属与较高掺杂的半导体接触却可以实现欧姆接触。__ 【答案】√（豆丁华研ъ电子书） 8．当耗尽型场效应晶体管的沟道被夹断以后，沟道就不能够再通过电流了，漏极电流将变为 0。 __ 【答案】×青岛掌а心博阅电子书 9． CMOS 具有输出电压摆幅大（无阈值损失）、噪声容限大、静态功耗低等优点，很适宜于大规模集成。 __ 【答案】√ 三、简答题 10．为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？【答案】因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子，即载流子。外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。温度升高，热运动加剧，本证激发加剧，使少数载流子浓度增大，但掺杂浓度不变，相对增加较多的是少数载流子，使导电性增强，产生较大的噪声。所以少子是影响温度稳定性的主要因素。（豆丁华研р电子书）

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考研专业课模拟试题 11．试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时，三极管中的两个 PN 结所具有的特点。【答案】三极管工作在放大工作状态时，集电结反偏，发射结下偏。三极管工作在饱和工作状态时，发射线和集电结均正偏。三极管工作在截止工作状态时，发射线和集电结均反偏。青岛掌ы心博➷⋛阅电子书

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考研专业课模拟试题 2027 年中国航天科工集团公司第三研究院(8357 所)081001 通信与信息系统《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案（二）一、填空题 1．对于 CMOS-E/E 静态反向器，最低电平是__，最高电平是__。（电源电压；地电位；电源电压减去阈值电压；电源电压减去栅-源电压）【答案】地电位；电源电压 2．对于 Si 的 p-n 结，其反向电流主要是__。（在扩散区的少数载流子扩散电流；势垒区中复合中心的产生电流；势垒区中的漂移电流）温度升高时，Si p-n 结的反向电流将__。（线性增加；指数增加；快速下降；不变）【答案】势垒区中复合中心的产生电流；指数增加 3．三极管的偏置情况为__、__时，三极管处于饱和状态。【答案】发射结正向偏置；集电结正向偏置（豆丁华研и电子书）

4．场效应晶体管的特征频率(截止频率)

是根据__来确定的（输出交流电流等于输入交流电，往往决定于栅极回路时间

流；输出阻抗等于输入阻抗；输出电压等于输入电压）；短沟道 MOSFET 的

常数，它与沟道长度之间具有__关系（正比；反比；无关；平方反比）。【答案】输出交流电流等于输入交流电流；平方反比 5．晶体二极管的核心部件是一个_____，它具有单向导电性。【答案】PN 结（豆丁华研ю电子书）二、判断题 6．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。__ 【答案】√；（豆丁华研ч电п子书） 7．场效应晶体管沟道区域的掺杂浓度越大，器件的阈值电压就越高。__ 【答案】√ 8．窄沟道 MOSFET 的阈值电压将有所升高，原因是栅极的“边缘场” 、或者实际上是场区表面掺杂所造成的。__ 【答案】√

9．单边突变的

结的势垒区主要是在掺杂浓度较高的

型一边。__

【答案】×（豆丁华研ш电子书）三、简答题

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