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【冲刺】2027年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400仪器科学与技术《802仪器综合:数字电子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案

高分学长 | 日期:2026年09月02日 | 26年考研

【冲刺】2027 年中国航空研究院(北京长城计量测 试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器 综合:数字电子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参 考答案

考研专业课模拟试题 模拟试题简介 试题名称: 【冲刺】2027 年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器综 合:数字电子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案 试题题型: 分析计算题+简答题 参考书目: 《数字电子技术基础》高等教育出版社,阎石主编 适用院系: (000)不区分院系所

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考研专业课模拟试题 目录 2027 年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器综合:数字电 子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案(一) ...................................................................................4 2027 年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器综合:数字电 子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案(二) .................................................................................13 2027 年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器综合:数字电 子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案(三) .................................................................................24 2027 年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器综合:数字电 子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案(四) .................................................................................34 2027 年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器综合:数字电 子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案(五) .................................................................................44

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考研专业课模拟试题 2027 年考研专业课模拟试题-冲刺阶段使用 2027 年中国航空研究院(北京长城计量测试技术研究所)080400 仪器科学与技术《802 仪器综合:数字电 子技术基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案(一) 一、分析计算题 1. 己知逻辑函数

利用卡诺图化简法直接求函数(1) ;(2) ;(3) 。 【答案】画出函数 Y1 和 Y2 的卡诺图,如图 1(a) 、 (b) 所示。 和 的卡诺图如图 2(a)~(c)所示。 的卡诺图就是由 卡诺图和 的卡诺图相应的最小项进行与运算得到; 的卡 诺图就是由 卡诺图和 的卡诺图相应的最小项进行或运算得到; 的卡诺图就是由 卡诺图和 的卡诺图相应的最小项进行异或运算得到。 按照带约束项逻辑函数的化简方法进行化简,得

图1

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图2 2. 试用代数法将逻辑函数 化简为最简与或式。 【答案】 (吸收律) (添项)

本题在解到第二步时的结果应是 。 如果不认真思考, 会误以为这就是最后结果, 但仔细观察发现,通过 还可以得到 ,与最小项 合并,消去因子 。但利用 一共可以折 成 等 4 个最小项,除 外尚多余 3 个最小项,因而再添 继续化简,终 于得到最简结果。 二、简答题 3. 试用一个具有片选使能 、输出使能 、读写控制 、容量为 8K×8 位的 SRAM 芯片和必要的逻 辑门,设计一个 16K×16 位的存储器系统,试画出其逻辑图。 【答案】采用 8K×8 位的 SRAM 构成 16K×16 位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。用 2 片 8K×8 位的芯片, 通过位扩展构成 8K×l6 位系统, 此时需要增加 8 根数据线。 要将 8K×l6 位扩展成 16K ×16 位的存储器系统, 还必须进行字扩展。 因此还需 2 片 8K×8 位的芯片通过同样的位扩展, 构成 8K×l6 位的存储系统,再与另一个 8K×l6 位存储系统进行字扩展,从而实现 16K×16 位的存储器系统,此时还 需增加 1 根地址线。系统共需要 4 片 8K×8 位的 SRAM 芯片。 用增加的地址线 控制片选使能 便可实现字扩展,两片相同地址的 SRAM 可构成 16 位数据线。其 逻辑图如图所示。其中(1)和(2)、(3)和(4)分别构成两个 8K×16 位存储系统;非门将 反相,并将 和 分别连接到两组 8K×l6 的片选使能端 上,实现字扩展。

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图 4. 试根据下图所示的逻辑图,写出 8421BCD 码编码器的 Verilog 门级描述。

图 【答案】8421BCD 码编码器的 Verilog HDL 门级描述如下:青岛掌㈄心博♩阅电子书

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考研专业课模拟试题 (2)如果忽略 50 电阻对多谐振荡器充、放电的影响,可以画出 的波形。由运放构成的反相加法电 路将 与-10V 直流电压相加,得到信号 为施密特触发器的触发信号,根据施密特触发器 的工作原理,可以画出输出 的波形如图(b)所示。多谐振荡器充、放电的时间分别为

图——工作波形 施密特触发器输出电压 的周期

10.试用 T1195 构成 8 位环形计数器。T1195 功能表如下表所示,其逻辑符号如图 1 所示。 表:T1195 功能表

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考研专业课模拟试题 左边=右边,原式成立。 二、简答题 3. 试用 3 输入 LUT 实现下列逻辑函数,画出电路结构,标明输入端存储单元的数值。 (1) (2) 【答案】(1)将变量 A、B、C 分别接入选择输入端 。根据逻辑函数表达式可知,数据输入端 接 1,其余接 0。电路结构如图题解(a)所示。

(2)将变量 A、B、C 分别接入选择输入端 。因此,数据输入端

图 。逻辑表达式变换为 接 1,其余接 0。电路结构如图题解(b)所示。

图 4. 试用两片 74LS148 接成 16 线—4 线优先编码器,将 16 个低电平输入信号编为 0000〜111116 个 4 位二进制代码。其中 的优先权最低, 的优先权最高。 74LS148 的逻辑框图及功能表分别为如图(a)及表所示。

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考研专业课模拟试题 (1)确定 MUX 的规模

表 本例待实现的逻辑函数是一个 3 变量函数,因而选用具有三个地址输入端的 8 选 1MUX 来实现最为方 便。选用 8 选 1MUX74151,图(a)是它的框图,其中 EN 是它的使能端,0~2 为地址输入端, 是数据 输入端。其功能表如表所示。 (2)确定选择输入变量 令 (3)分别写出 8 选 1MUX 的功能表达式 Y 和逻辑函数的最小项表达式 8 选 1MUX 的 Y 表达式为

图 逻辑函数 F 的最小项表达式为

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