【冲刺】2027年中国运载火箭技术研究院080900电子科学与技术《802通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案

高分学长 | 日期:2026年09月02日 | 26年考研

【冲刺】2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案

考研专业课模拟试题模拟试题简介试题名称：【冲刺】2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案试题题型：填空题+判断题+解答题参考书目：张晓林、张风言编著,电子线路基础，高等教育出版社(2011 年); 适用院系：（003）12 所（004）14 所（010）704 所（006）18 所（013）102 所（011）13 所（009）772 所（002）11 所（京）（001）总体设计部（007）702 所（012）研究发展中心（015）10 所（016）战术武器总体技术部（017）体系院（019）11 所

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考研专业课模拟试题目录 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案（一）.....................................................................................................................5 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案（二）.....................................................................................................................9 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案（三） ...................................................................................................................12 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案（四） ...................................................................................................................15 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案（五） ...................................................................................................................20

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考研专业课模拟试题 2027 年考研专业课模拟试题-冲刺阶段使用 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《802 通信类专业综合：电子线路基础》考研冲刺模拟五套题及参考答案（一）一、填空题 1．晶体管振荡器是一种无需外界信号激励便能产生振荡信号输出的__放大器。【答案】正反馈自激； 2． LC 振荡器的静态工作点，一般选在__区,远离__区,其原因是__ 【答案】放大区，截止区，为了满足起振条件和振幅平衡；二、判断题 3．单管功率放大器的静态电流较推挽功率放大器大得多，可见甲类单管功率放大器电路效率比乙类推挽功率放大器高。__ 【答案】×青岛掌ю心博阅电子书 4．对于正弦波振荡电路而言，只要不满足相位平衡条件,即使放大电路的放大倍数很大，也不可能产生正弦波振荡。__ 【答案】√ 5．电容三点式振荡电路输出的谐波成分比电感三点式的大，因此波形较差。__ 【答案】× 三、解答题 6．恒流源式差动放大电路如图所示三极管：（1）各三极管的静态工作点 Q1~Q3；（2）差模电压放大倍数；（2）当时，

，，试计算：

此时

各为多少伏？

【答案】（1）

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考研专业课模拟试题（2）（3）

7．半导体与 PN 结【答案】半导体中有两种载流子：电子与空穴。在本征半导体中掺入五价元素，就构成了 N 型半导体。反之在本征半导体中掺入三价元素，就构成了 P 型半导体。多子浓度主要由掺杂浓度决定，少子浓度随温度增加而明显增大。在 P 型或 N 型半导体中，电子和空穴的浓度满足热平衡条件，同时整块半导体满足电中性条件。把 P 型半导体和 N 型半导体在原子级上紧密结合，P 区和 N 区的交界面就形成了 PN 结。在交界面岀现的带电离子集中的薄层，称为空间电荷区(或耗尽层、阻挡层)。在 PN 结中存在两种运动：一是由于浓度差引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动，称为扩散运动；二是载流子在电场的作用下的运动，称为漂移运动。动态平衡下的 PN 结，当温度一定时，两侧半导体的掺杂浓度越大，空间电荷区宽度就越窄，接触电位差越大；当掺杂浓度一定时，空间电荷区宽度随温度升高而变窄，接触电位差变小。 PN 结外加电压时，两端电压 U 和流彗 PN 结电流/的关系为

式中，

称为 PN 结的反向饱和电流；

称为温度的电压当量，在常温下(T=300K)，UT=26mV。PN

结的电压电流关系是非线性的，当外加正向电压(U>0)时，I 随 U 按指数规律增加；当外加反向电压(U<0) 时，数值很小，基本上与外加电压 U 无关。这是 PN 结的最重要的特性——单向导电性。当 PN 结的外加反向电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，这种现象称为 PN 结的反向击穿。击穿现象可分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，分别发生在高掺杂和低掺杂的 PN 结中。 PN 结除呈现非线性电阻特性外，还具有电容特性。 8 ．镜像电流源式差动放大电路如图所示。已知 Vcc=VEE=15V ，，三极管 T3~T4 特性相同， T3 管的（1）静态工作点（2）差模输入电阻、输出电阻（3）差模电压放大倍数；（4）共模电压放大倍数（5）当时；。试计算：

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考研专业课模拟试题

（1）若

,求电源变压器次级电压

的有效值

；

（2）计算限流电阻 R 的取值范围；青岛掌ы心┤博阅电子书（3）计算输出电压的调整范围；

（4）计算 W7815 的最大功耗 PCM。【答案】（1）由（2）设 U2 的最小值为，得，则 U1 变化范围为

由

，得

又由（3）（4）

，得