【冲刺】2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体 器件物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案

考研专业课模拟试题 模拟试题简介 试题名称： 【冲刺】2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件 物理》考研冲刺模拟五套题及参考答案 试题题型： 填空题+判断题+简答题 参考书目： 施敏等著，半导体器件物理，西安交通大学出版社(2008 年)。 适用院系： （010）704 所 （011）13 所 （013）102 所 （009）772 所

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考研专业课模拟试题 目录 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考 研冲刺模拟五套题及参考答案（一） .............................................................................................................4 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考 研冲刺模拟五套题及参考答案（二） .............................................................................................................6 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考 研冲刺模拟五套题及参考答案（三） .............................................................................................................8 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考 研冲刺模拟五套题及参考答案（四） ...........................................................................................................10 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考 研冲刺模拟五套题及参考答案（五） ...........................................................................................................12

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考研专业课模拟试题 2027 年考研专业课模拟试题-冲刺阶段使用 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考 研冲刺模拟五套题及参考答案（一） 一、填空题 1． N 型半导体中的多数载流子是电子，P 型半导体中的多数载流子是。 【答案】空穴（豆丁华研ы电┤子书） 2． 发光二极管的发光颜色决定于所用的__，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色 。 【答案】材料（豆丁华║研ф电子р书） 3． 对于 Si 的 p-n 结，其反向电流主要是__。 （在扩散区的少数载流子扩散电流；势垒区中复合 中心的产生电流；势垒区中的漂移电流）温度升高时，Si p-n 结的反向电流将__。 （线性增加； 指数增加；快速下降；不变） 【答案】势垒区中复合中心的产生电流；指数增加 4． 浮置栅雪崩注入 MOS（FAMOS）器件和叠栅雪崩注入 MOS（SAMOS）器件都是利用__来工作的 一种存贮器件。 （雪崩击穿效应；沟道雪崩注入效应；载流子速度饱和效应） 【答案】沟道雪崩注入效应 5． 二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。 【答案】导通（豆丁华研ю电子书） 二、判断题 6． 在过驱动饱和状态下工作的 BJT，除了需要考虑基区中的少数载流子存储效应以外，还需要考虑集电 区中的少数载流子存储效应。__ 【答案】√ 7． 集电极最大允许工作电流 ICM 是对应于晶体管的最高结温时的集电极电流。__ 【答案】×

8． 单边突变的

结的势垒区主要是在掺杂浓度较高的

型一边。__

【答案】×（豆丁华研ш电子书） 9． p-n 结两边准费米能级之差就等于 p-n 结上所加电压的大小。__ 【答案】√（豆丁华研ъ电子书） 三、简答题 10．电路如图所示，试求： ，并说明 、 的作用。

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考研专业课模拟试题 【答案】两个二极管的阴极接在一起，取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。

（豆丁华研р电Ю子书） ， ∵ ∴ 优先导通， 截止。

若忽略管压降，二极管可看作短路， 流过 的电流为

承受反向电压为－6V。在这里，

起钳位作用，

起隔离作用。

11 ． 输出特性曲线如图所示 ， 在 。求：β

时，

点

，

；

点

，

【答案】在

点，有

由

和

点，得

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考研专业课模拟试题 2027 年中国运载火箭技术研究院 080900 电子科学与技术《811 集成电路专业综合：半导体器件物理》考 研冲刺模拟五套题及参考答案（二） 一、填空题 1． 对于 VLSI 中的小尺寸 MOSFET，其沟道区域一般都需要进行掺杂，它的目的主要是__。 （消 除热电子效应；防止源-漏穿通；控制阈值电压；减弱短沟道效应） 【答案】防止源-漏穿通和控制阈值电压 2． PN 结加正向电压时，空间电荷区将___。 【答案】变薄（豆丁华研я电子书） 3． 半导体耗尽层就是其中不存在有__的区域。 （任何载流子；任何电荷；任何载流子和任何电 荷） 【答案】任何载流子（豆丁华研й电Т子书）

4． 场效应晶体管的特征频率(截止频率)

是根据__来确定的（输出交流电流等于输入交流电 ，往往决定于栅极回路时间

流；输出阻抗等于输入阻抗；输出电压等于输入电压） ；短沟道 MOSFET 的

常数，它与沟道长度之间具有__关系（正比；反比；无关；平方反比） 。 【答案】输出交流电流等于输入交流电流；平方反比 5． 限制着小尺寸 MOSFET 进一步缩小尺寸的 DIBL 效应，将使得漏极电流__，和使得阈值电压 __。 （增大；减小；不变） 【答案】增大；减小 二、判断题 6． 模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。__ 【答案】√；（豆丁华研ч电п子书） 7． 对于 MOSFET，当出现沟道以后，栅极电压再增高，半导体表面以内的耗尽层的厚度就不再增大了。 __ 【答案】√ 8．当耗尽型场效应晶体管的沟道被夹断以后， 沟道就不能够再通过电流了， 漏极电流将变为 0。 __ 【答案】×青岛掌а心博阅电子书 9． 因为在反向电压下 p-n 结势垒区中存在有较强的电场，所以通过 p-n 结的反向电流主要是多数载流子 的漂移电流。__ 【答案】×（豆丁华研щ电子┯书） 三、简答题 10．费米能级在能带中随温度的变化？ 【答案】由于， EF  EFi  kT ln 

 Nd    ni 

N  ; EFi  EF  kT ln  a   ni 

(1)

温度升高时，本征载流子浓度 ni 增大，N 型和 P 型半导体的费米能级都向本征费米能级靠近。

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